TC4427EOA IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC 주요 이미지

TC4427EOA IC 게이트 DRVR 로우 측 8SOIC

간단한 설명:

제조업체 부품: TC4427EOA

제조사: 마이크로칩 테크놀로지
패키지: 8SOIC
설명: Low-Side Gate Driver IC 비반전 8-SOIC

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제품 상세 정보

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제품 매개변수

설명

TC4426/TC4427/TC4428은 이전 TC426/TC427/TC428 MOSFET 드라이버 제품군의 개선된 버전입니다.TC4426/TC4427/TC4428 장치는 MOSFET의 게이트를 충전 및 방전할 때 상승 및 하강 시간을 일치시켰습니다.이 장치는 전력 및 전압 정격 내에서 모든 조건에서 높은 래치업 저항성을 제공합니다.접지 핀에서 최대 5V의 노이즈 스파이킹(어느 쪽 극성이든)이 발생할 때 손상되지 않습니다.손상이나 로직 혼란 없이 최대 500mA의 역전류(어느 쪽 극성이든)가 출력으로 강제로 되돌아가는 것을 수용할 수 있습니다.모든 단자는 최대 2.0kV의 정전기 방전(ESD)으로부터 완벽하게 보호됩니다.TC4426/TC4427/TC4428 MOSFET 드라이버는 30ns 미만에서 1000pF 게이트 커패시턴스를 쉽게 충전/방전할 수 있습니다.이 장치는 On 및 Off 상태 모두에서 충분히 낮은 임피던스를 제공하여 MOSFET의 의도된 상태가 큰 과도 현상에 의해서도 영향을 받지 않도록 합니다.다른 호환 드라이버는 TC4426A/TC4427A/TC4428A 장치 제품군입니다.TC4426A/TC4427A/TC4428A 장치는 TC4426/TC4427/TC4428 장치의 일치된 상승 및 하강 시간 외에도 선행 및 하강 에지 입력-출력 지연 시간을 일치시켰습니다.

명세서:
기인하다	값
범주	집적 회로(IC)
	PMIC - 게이트 드라이버
제조업체	마이크로칩 기술
시리즈	-
패키지	튜브
부품 상태	활동적인
구동 구성	로우사이드
채널 유형	독립적인
드라이버 수	2
게이트 유형	N채널, P채널 MOSFET
전압 - 공급	4.5V ~ 18V
논리 전압 - VIL, VIH	0.8V, 2.4V
전류 - 피크 출력(소스, 싱크)	1.5A, 1.5A
입력 유형	비반전
상승/하강 시간(통상)	19ns, 19ns
작동 온도	-40°C ~ 150°C(TJ)
장착 유형	표면 실장
패키지/케이스	8-SOIC(0.154", 폭 3.90mm)
공급자 장치 패키지	8-SOIC
기본 제품 번호	TC4427